线通过物镜聚焦到光刻胶涂层
锗上时，倒置显微镜缩小
矩形图案尺寸，形成完美微缩版。当光线照射到光刻胶层时，化学结构发生改变，使其显影时能被溶解，留下
个比任何团手工蜡都要小得多矩形小孔，其形状也更精确。很快，莱思罗普发现他也可以通过添加层超薄铝，将锗与外部电源连接起来，从而印出“电线”。
莱思罗普称这过程为光刻。他生产晶体管比以前小得多，直径只有0.1英寸，高度只有0.0005英寸。光刻技术使人们可以构想大规模生产微型晶体管。1957年，莱思罗普申请这项技术专利。随着军乐队演奏，军方为他工作颁发枚奖章，并给他25000美元奖金，他用这笔奖金给家人买辆纳什·兰布勒旅行车。
哈格蒂和基尔比立即意识到，莱思罗普光刻工艺比美国陆军给他25000美元奖金要值钱得多。“民兵II号”导弹计划需要数千块集成电路，阿波罗太空船需要数万块集成电路。而光和光刻胶可以解决大规模生产问题，以手工焊接导线无法解决方式实现芯片制造机械化和小型化。
在TI实施莱思罗普光刻工艺需要新材料和新工艺。柯达光刻胶纯度不足以保证大规模生产，因此TI自己购买离心机，并对柯达提供化学品进行再加工。莱思罗普乘坐火车在美国各地寻找“掩模”，这种掩模用于将精确图案投射到覆盖光刻胶半导体晶圆上。他最终得出结论，现有掩模公司产品都没有足够精度，因此TI决定自己制造掩模。基尔比集成电路所需硅片必须是超纯，超出任何公司销售品质范围。因此，TI也开始自己生产硅片。
与杰伊·莱思罗普通信，2021年。采访玛丽·安妮·波特，2021年。当切都标准化时，大规模生产才有效。通用汽车公司能够将许多标准汽车零件用于所有从装配线上下线雪佛兰。在半导体方面，像TI这样公司，缺少可检测出制造集成电路原料是否符合标准工具。化学品中含有当时无法检测到杂质，温度和压力细微变化可能会引起意外化学反应，投射光线掩模可能被灰尘颗粒污染，点点杂质就可能使整批产品报废。唯改进方法是反复试验，TI组织数千次实验来评估不同温度与化学物质组合对生产工艺影响。基尔比每周六都在TI走廊上踱步，检查工程师试验。
采访玛丽·安妮·波特，2021年。玛丽·安妮·波特，《口述历史》（OralHistory），晶体管博物馆，2001年9月，
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